鏈成熟的速度 ，根據英飛凌和國內相關公司調研和產業里的專家的判斷來看，SIC MOS 滲透 IGBT 的拐點可能在 2024 年附近。預計 2025 年全球滲透率 25%，則全球有 30 億美金 SIC MOS 器件市場，中國按照 20%滲透率 2025 年則有 12 億美金的 SIC MOS 空間。 即不考慮SIC SBD 和其他 SIC 功率器件，僅測算替代 IGBT 那部分的 SIC MOS 市場預計2025 年全球 30 億美金，相對 2019 年不到 4 億美金有超過 7 倍成長，且 2025-2030 年增速延續。

2.3 格局：SIC 器件的競爭格局

目前，碳化硅器件市場還是以國外的傳統功率龍頭公司為主 ，2017 年全球市場份額占比前三的是科銳，羅姆和意法半導體，其中 CREE 從 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相當于其擁有了從上游 SIC 片到下游 SIC 器件的產業鏈一體化能力。

國內的企業均處于初創期或者剛剛介入 SIC 領域 ，包括傳統的功率器件廠商華潤微、捷捷微電、揚杰 科技 ，從傳統的硅基 MOSFET、晶閘管、二極管等切入 SIC 領域，IGBT 廠商斯達半導、比亞迪半導體等，但國內 當前的 SIC 器件營收規模都比較小 （揚杰 科技 最新披露 SIC 營收 2020 年上半年 19.28 萬元左右）；

未上市公司和單位中做的較好的有前面產業鏈總結中提到的一些，包括：

泰科天潤： 可以量產 SiC SBD，產品涵蓋 600V/5A～50A、1200V/5A～50A 和1700V/10A 系列；并且早在 2015 年，泰科天潤就宣布推出了一款高功率碳化硅肖特基二極管產品，是從事 SIC 器件的較純正的公司；

中電科 55 所： 國內從 4-6 寸碳化硅外延生長、芯片設計與制造、模塊封裝實現全產業鏈的單位；

深圳基本半導體 ：成立于 2016 年，由清華大學、浙江大學、劍橋大學等國內外知名高校博士團隊創立，專注于 SIC 功率器件，也是深圳第三代半導體研究院發起單位之一，目前已經開始推出其 1200V 的 SiC MOSFET 產品。

3.1 天科合達

天科合達是國內第三代半導體材料 SIC 晶片的領軍企業： 公司成立于 2006 年 9 月 12 日，2017 年 4 月至 2019 年 8 月在全國股轉系統掛牌轉讓，2020 年 7 月擬在科創板市場上市。

公司成長速度極快，2017-2019 年公司收入由 0.24 億增長至 1.55 億元，兩年 復合增長率 154%。

營收構成：SIC 晶片占比約為一半

公司營收由三部分構成：碳化硅晶片占比 48.12%，寶石等其他碳化硅產品 占比 36.65%，碳化硅單晶生長爐占比 15.23%。

設備自制：從設備到 SIC 片一體化布局

公司以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長 碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片；其中的碳化硅晶體的生長設備-碳化硅單晶 生長爐公司也能完成自制并對外銷售。

行業格局與公司地位

公司地位：2018 年，以導電型的 SIC 來看，天科合達以 1.7%的市場占有率 排名全球第六，排名國內導電型碳化硅晶片第一。

3.2 山東天岳

1、半絕緣 SIC 片的領軍企業： 公司成立于 2010 年，專注于碳化硅晶體襯底 材料的生產；公司產品主要在半絕緣型的 SIC 片。公司投資建成了第三代半導 體材料產業化基地，具備研發、生產國際先進水平的半導體襯底材料的軟硬件 條件，是我國第三代半導體襯底材料行業的先進企業。

2、成長能力： 據了解，公司收入從 2018 年收入 1.1 億左右增加至 2019 年超 過 2.5 億總收入（其中也有約一半是 SIC 衍生產品寶石等），同比增長 100%以 上。公司的 SIC 片主要集中在半絕緣型，而天科合達主要集中在導電型。

3、華為入股： 華為旗下的哈勃 科技 投資持股山東天岳 8.17%。

4、生產能力（ 公司采用的是長晶爐的數量進行表征）：山東天岳的產能主 要由長晶爐的數量決定，2019 年產線上長晶爐接近 250 臺，銷售襯底約 2.5 萬 片，預計年底前再購置一批長晶爐，目標增加至 550 臺以上；

5、銷售價格： 2018 、2019 年公司襯底平均銷售價格大數大約在 6300 元/ 片、8900 元/片，預計今年的平均價格將會突破 9000 元，價格變動的主要原因 是 2,3 寸小尺寸襯底、N 型等相對低價的襯底銷售占比逐步降低，高值的 4 寸 高純半絕緣產品占比逐步提升導致單位售價提高。

6、技術實力： 山東天岳的碳化硅技術起源于山東大學晶體國家重點實驗 室，公司于 2011 年購買了該實驗室蔣明華院士專利，并投入了大量研發，歷經 多年工藝積累，將碳化硅襯底從實驗室的技術發展成為了產業化技術；山東天 岳除 30 人的研發團隊外，還在海外設有 6 個聯合研發中心；公司擁有專利近300 項，其中先進發明專利約 50 多項，先進實用性專利約 220 項，申請中的 發明專利約 50 多項。

3.3 斯達 半導

1、斯達 半導 97.5%的收入均是 IGBT， 是功率半導體已上市公司中最純正的 IGBT 標的，2019 收入 7.8 億（yoy+15.4%），歸母凈利潤 1.35（yoy+39.8%）， IGBT 模塊全球市占率 2%，排名全球第八；

2、斯達半導在積極進行第三代半導體 SIC 的布局。 公司 SiC 相關的產品 和技術儲備在緊鑼密鼓的進行：

3、公司在未來重點攻關技術研發與開發計劃：

主要提到三項重要產品開發：1、全系列 FS-Trench 型 IGBT 芯片的研 發；2、新一代 IGBT 芯片的研發；3、SiC、GaN 等前沿功率半導體產品的研 發、設計及規模化生產：公司將堅持 科技 創新，不斷完善功率半導體產業布 局，在大力推廣常規 IGBT 模塊的同時，依靠自身的專業技術，積極布局寬禁 帶半導體模塊（SiC 模塊、 GaN 模塊），不斷豐富自身產品種類，加強自身競 爭力，進一步鞏固自身行業地位。

4、公司和宇通客車等客戶合作研發 SIC 車用模塊

2020 年 6 月 5 日，客車行業規模領先的宇通客車宣布，其新能源技術團隊 正在采用斯達半導體和 CREE 合作開發的 1200V SiC 功率模塊，開發業界領先 的高效率電機控制系統，各方共同推進 SiC 逆變器在新能源大巴領域的商業化應 用。

宇通方面表示，“斯達和 CREE 在 SiC 方面的努力和創新，與宇通電機控 制器高端化的產品發展路線不謀而合，同時也踐行了宇通“為美好出行”的發 展理念，相信三方在 SiC 方面的合作一定會碩果累累。”

我們在之前發布的斯達半導深度報告中測算斯達在不同 SIC 滲透率和不同 SIC 市占率情境下 2025 年收入彈性，中性預計 2025 年斯達在國內的 SIC 器件市 占率為 6-8%。 預計 2023-2024 年國內 SIC 產業鏈如山東天岳、三安光電等更加成 熟后，SIC 將迎來替代 IGBT 拐點，但是 IGBT 和 SIC MOS 等也將長期共存，相 信國內的技術領先優質的 IGBT 龍頭斯達半導能夠不斷儲備相關技術和產品， 積 極擁抱迎接這一行業創新。

3.4 三安光電

1、公司主要從事化合物半導體材料的研發與應用， 以砷化鎵、氮化鎵、碳 化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心 主業，產品主要應用于照明、顯示、背光、農業、醫療、微波射頻、激光通 訊、功率器件、光通訊、感應傳感等領域；

2、公司主業 LED 芯片，占公司營收的 80%以上，LED 是基于化合物半導 體的光電器件，在襯底、外延和器件環節具有技術互通性；

3、公司專注于化合物半導體的子公司三安集成，2019 年業務與同期相比呈 現積極變化：

1）射頻業務產品應用于 2G-5G 手機射頻功放 WiFi、物聯網、路由器、通 信基站射頻信號功放、衛星通訊等市場應用，砷化鎵射頻出貨客戶累計超過 90 家，客戶地區涵蓋國內外；氮化鎵射頻產品重要客戶已實現批量。生產，產能 正逐步爬坡；

2）2020 年 6 月 18 日公司公告，三安光電決定在長沙高新技術產業開發區 管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導 體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產 業鏈，投資總額 160 億元，公司在用地各項手續和相關條件齊備后 24 個月內完成一期項目建設并實現投產，48 個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產，72 個月內實現達產；

3） 三安集成推出的高功率密度碳化硅功率二極管及 MOSFET 及硅基氮化 鎵 功率器件主要應用于新能源 汽車 、充電樁、光伏逆變器等電源市場，客戶累計超過 60 家， 27 種產品已進入批量量產階段。

4） 三安集成 19 年實現銷售收入 2.41 億元，同比增長 40.67%； 三安集成產品的認可度和行業趨勢已現，可以預見未來在第三代材料 SiC/GaN 的功率半導體中發展空間非常廣闊。

3.5 華潤微

1、公司是中國領先的擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產業鏈一體化經營能力的半導體企業 ，產品聚焦于功率半導體、智能傳感器與智能控制領域；

2、產品與制造并行： 公司 2019 年收入 57 億元，其中產品與方案占比43.8%，制造與服務占比 55%，制造與服務業務主要是晶圓制造和封測業務；產品與方案主體主要是功率半導體，占比 90%，包括 MOSFET、IGBT、SBD 和FRD 等產品；

3、公司目前擁有 6 英寸晶圓制造產能約為 247 萬片/年，8 英寸晶圓制造產能約為 133 萬片/年，具備為客戶提供全方位的規模化制造服務能力；

4、SIC 領域積極布局：在 2020 年 7 月 4 日，公司進行了 SIC 產品的發布會，發布了全系列的 1200V/650V 的 SIC 二極管產品，公司有望通過 IDM 模式在 SIC 材料的各個功率半導體產品領域深耕并持續受益于產品升級和國產替代。

3.6 捷捷微電

1、公司是國內晶閘管龍頭，持續布局 MOSFET 和 IGBT 等高端功率半導體器件。 按照公司年報口徑，2019 年功率分立器件收入占比 75%，功率半導體芯片收入占比 23%； 公司的功率分立器件，50%左右業務是晶閘管 （用于電能變換與控制），還有部分二極管業務，其余是防護器件系列